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先進(jìn)封裝:TSV硅通孔 與 TGV 玻璃通孔

時(shí)間:2024-10-23  點(diǎn)擊次數(shù):104

先進(jìn)封裝:TSV硅通孔 TGV 玻璃通孔

 

 

一、TSV:硅通孔技術(shù),芯片垂直堆疊互連的關(guān)鍵技術(shù)

硅通孔技術(shù)(TSVThrough Silicon Via)是一種前沿的封裝技術(shù),通過在硅片中垂直穿透,實(shí)現(xiàn)不同芯片或?qū)又g的功能集成。TSV 主要采用銅等導(dǎo)電材料填充硅通孔,以實(shí)現(xiàn)硅片內(nèi)部的垂直電氣連接。這種技術(shù)能夠減少信號傳輸?shù)难舆t,降低電容和電感,從而實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗和高速通信,提升帶寬,并滿足器件集成的小型化需求。在此之前,芯片之間的大多數(shù)連接都是水平的,TSV 的誕生讓垂直堆疊多個(gè)芯片成為可能。Wire bonding(引線鍵合)和 Flip-Chip(倒裝焊)的 Bumping(凸點(diǎn))提供了芯片對外部的電互連,RDL(再布線)提供了芯片內(nèi)部水平方向的電互連,TSV 則提供了硅片內(nèi)部垂直方向的電互連。

 

1TSV 三種主要應(yīng)用方向:背面連接、2.5D 封裝、3D 封裝

(a)背面連接 -- 用于 CIS 和鍺化硅(SiGe)功率放大器

垂直的芯片連接無芯片堆疊,只是簡單的背面連接TSV 位于有源晶粒(active die)中,用于連接至晶圓背面的焊盤(bond pad)。在TSV 三種主要應(yīng)用方式中,簡單的背面連接結(jié)構(gòu)是技術(shù)難度最低的,也是 TSV技術(shù)首次大規(guī)模投入生產(chǎn)時(shí)的應(yīng)用方向,如 CMOS 圖像傳感器(CIS)、SiGe 功率放大器兩個(gè)產(chǎn)品就應(yīng)用了 TSV 技術(shù)。

 TSV 用于 CMOS 圖像傳感器有許多優(yōu)點(diǎn):

●  使用 TSV 代替引線鍵合可以減小相機(jī)模組的尺寸。引線鍵合作為傳統(tǒng)的芯片封裝方法,需要在芯片周圍布置引線,增加了封裝的尺寸和高度,且引線的存在限制了芯片與基板之間的緊湊布局,繼而無法實(shí)現(xiàn)高密度的集成。而TSV的垂直連接讓信號從芯片背面引出,無需布置引線,減少了封裝的橫向尺寸。且沒有引線的高度,封裝的高度也進(jìn)一步減小。

●  簡化了圖像傳感器的晶圓級封裝(WLP),在晶圓尚未被切割成單個(gè)芯片之前直接在整片晶圓上完成封裝。WLP 工藝的第一步是將玻璃晶圓附著到圖像傳感器的正面,防止光刻膠(抗蝕劑)微透鏡在組裝過程中受到損壞和污染。然而由于玻璃晶圓貼合在晶圓正面后,焊盤被玻璃覆蓋,無法從正面接觸到焊盤,導(dǎo)致安裝好玻璃晶圓后會使從晶圓正面到焊盤的連接途徑受阻。TSV 通過簡化晶圓級封裝,在芯片內(nèi)部制作TSV,使芯片背面形成新的焊盤和焊接凸點(diǎn)(bump),可以直接與封裝基板連接。將信號從正面,對受阻問題提供了簡易的解決方法。

(b) 2.5D 封裝

晶粒(die)連接至硅中介層(interposer),TSV 在中介層中;

與簡單的背面連接相比,2.5D 先進(jìn)封裝的硅中介層需要更小的 TSV 間距(≤50 μm),因此需要更先進(jìn)的 TSV 工藝。

現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate ArrayFPGA)器件是最早使用硅中介層的產(chǎn)品之一,是一種高度集成的數(shù)字電路,可在產(chǎn)品出廠后由用戶在現(xiàn)場(即使用環(huán)境中)通過硬件描述語言(HDL)進(jìn)行編程,以實(shí)現(xiàn)特定的數(shù)字邏輯功能:硅中間層可以使芯片間密切連接,整合后的結(jié)構(gòu)看起來像單個(gè)大尺寸的 FPGA 芯片,解決了早期直接構(gòu)建單個(gè)大尺寸 FPGA 芯片的技術(shù)難題。

(c) 3D 封裝

TSV 位于有源晶粒中,用于實(shí)現(xiàn)芯片堆疊。

儲器堆疊是首批應(yīng)用 3D 堆疊 TSV 結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品之一,和 2.5D 封裝中硅中階層對 TSV 間距的需求相似,但實(shí)際應(yīng)用中難度更高,例如寬 I/O DRAM 設(shè)備。使用寬 I/O DRAM 和芯片堆疊的優(yōu)勢包括封裝高度降低40%,功耗降低50%,帶寬增加 6 倍。

 

2TSV關(guān)鍵工藝

TSV 工藝包括深硅刻蝕形成微孔,再進(jìn)行絕緣層、阻擋層、種子層的沉積,深孔填充,退火,CMP 減薄,Pad 的制備疊加等工藝技術(shù)。這些步驟都是在晶圓級別完成的,優(yōu)勢在于能夠同時(shí)加工整片晶圓上的所有芯片,提高生產(chǎn)效率,且在晶圓級別上更容易實(shí)現(xiàn)納米級的精度,確保器件性能一致性。

1)孔成型:

孔成型的方式有激光打孔、干法刻蝕、濕法刻蝕等。基于深硅刻蝕(Deep Reactive Ion EtchingDRIE)的 Bosch工藝是目前應(yīng)用最廣泛工藝。反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion EtchingRIE)工藝是采用物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用的刻蝕,Bosch 工藝通過刻蝕和保護(hù)交替進(jìn)行來提高 TSV 的各向異性,保證 TSV 通孔垂直度。

2)沉積絕緣層:

TSV 孔內(nèi)絕緣層用于實(shí)現(xiàn)硅襯底與孔內(nèi)傳輸通道的絕緣,防止 TSV通孔之間漏電和串?dāng)_。TSV 孔壁絕緣介質(zhì)材料選用無機(jī)介質(zhì)材料,包括PECVDSACVDALD 和熱氧化法。

3)沉積阻擋層/種子層:

2.5D TSV 中介層工藝中,一般使用銅作為 TSV 通孔內(nèi)部金屬互聯(lián)材料。在電鍍銅填充 TSV 通孔前,需在 TSV 孔內(nèi)制備電鍍阻擋/種子層,一般選用 TiTaTiNTaN 等材料。TSV 電鍍種子層起著與電鍍電極電連接并實(shí)現(xiàn) TSV 孔填充的作用。

4)電鍍填充工藝:

TSV 深孔的填充技術(shù)是 3D 集成的關(guān)鍵技術(shù),直接關(guān)系到后續(xù)器件的電學(xué)性能和可靠性。可以填充的材料包括銅、鎢、多晶硅等。目的是建立垂直導(dǎo)電通道,實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部不同層之間的電氣連接。填充質(zhì)量直接影響后續(xù)器件的電學(xué)性能和可靠性。

5CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)工藝和背面露頭工藝:

前面的步驟中,我們沉積了絕緣層、阻擋層和種子層,但這些材料不僅覆蓋了TSV 孔的內(nèi)部,也覆蓋了晶圓的表面,形成了多余的材料,稱為“過度沉積”或“過量材料”。如果不去除表面多余的材料,可能會導(dǎo)致光刻圖形失真,影響器件性能,而且表面殘留的導(dǎo)電材料可能在不同的 TSV 之間形成導(dǎo)電路徑,導(dǎo)致短路。

CMP 技術(shù)用于去除硅表面的二氧化硅介質(zhì)層、阻擋層和種子層。TSV 背面露頭技術(shù)也是 2.5DTSV 轉(zhuǎn)接基板的關(guān)鍵工藝,包括晶圓減薄、干/濕法刻蝕工藝。

6)晶圓減薄:

晶圓表面平坦化后,還需要進(jìn)行晶圓背面的減薄使 TSV 露出,傳統(tǒng)的晶圓減薄技術(shù)包括機(jī)械磨削、CMP 和濕法腐蝕等。目前業(yè)界主流的解決方案是將晶圓的磨削、拋光、保護(hù)膜去除和劃片膜粘貼等工序集合在一臺設(shè)備內(nèi)。

 

二、TGV(玻璃通孔/Through Glass Via

TGV技術(shù)是TSV技術(shù)的延續(xù),主要區(qū)別在于引入了基板種類的變化。TSVThrough Silicon Via)是指通過在硅中介層打孔的方式實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)垂直互聯(lián),而與之對應(yīng)的TGVThrough Glass Via,玻璃通孔)是指穿過玻璃基板的垂直電氣互連,它們都通過在中介層打孔并進(jìn)行電鍍填充來實(shí)現(xiàn)垂直方向的電氣互聯(lián),以此來降低信號傳輸?shù)木嚯x,增加帶寬和實(shí)現(xiàn)封裝的小型化。而與TSV不同的是,TGV的中介層基板使用的是高品質(zhì)硼硅玻璃、石英玻璃,以此來取得比硅中介層更好的封裝表現(xiàn),被認(rèn)為是下一代三維集成的關(guān)鍵技術(shù)。

 

作為替代硅基中介板的材料,TGV/玻璃通孔中介板成為行業(yè)研究熱點(diǎn)。

 

 

1、玻璃通孔成孔技術(shù):如何制作高精度的通孔/

玻璃通孔成孔技術(shù)是制約TGV發(fā)展的主要困難之一。TGV通孔的制備需要滿足高速、高精度、窄節(jié)距、側(cè)壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求,如何制備出高深寬比、窄節(jié)距、高垂直度、高側(cè)壁粗糙度、低成本的玻璃微孔一直是多年來各種研究工作的重心。目前主流的玻璃通孔加工成型方法有噴砂法、聚焦放電法、等離子刻蝕法、激光燒蝕法、電化學(xué)放電法、光敏玻璃法、激光誘導(dǎo)刻蝕法等。

1 噴砂法:加工精度較低,應(yīng)用場景較

加工步驟:噴砂法要求在加工前先在玻璃基板上制作一層復(fù)合掩模,然后以制備的復(fù)合掩模為基礎(chǔ),采用干粉噴砂工藝對玻璃晶片進(jìn)行蝕刻。考慮到蝕刻效率和寬高比,可在玻璃晶片的一側(cè)先蝕刻一次,隨后在玻璃晶片的另一側(cè)也采用同樣的工藝步驟進(jìn)行蝕刻,兩次噴砂蝕刻過程中必須保證中心點(diǎn)完全對稱以形成完整的通孔。

工藝特點(diǎn):由于噴砂法制作的通孔非常粗糙,孔孔徑較大且一致性較差,所以該方法只能制作孔徑較大(>200 μm)、間距較大的玻璃通孔,而逐漸退出三維集成封裝的應(yīng)用范疇;同時(shí),該工藝中使用的沙粒直徑一般為20~50μm,如此大的顆粒碰撞會對玻璃表面以及孔的側(cè)壁造成封裝系統(tǒng)無法接受的損傷,以此少見于先進(jìn)封裝工藝。

2)聚焦放電法:通孔均勻性好,生產(chǎn)效率較

加工步驟:聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟:1. 將玻璃放在兩個(gè)電極之間,通過控制放電對玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融;2. 通過焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力,引起內(nèi)部高壓和介電擊穿,上述步驟可以在不到1 μs的時(shí)間內(nèi)就完成100~500 μm厚的玻璃通孔制備,可以制備最小孔徑為20μm、深寬比5~8的玻璃通孔。

工藝特點(diǎn):聚焦放電產(chǎn)生玻璃通孔的方法可以制備多種類型的玻璃,如石英、鈉鈣玻璃、無堿玻璃、含堿玻璃等,且從聚焦放電制作的TGV陣列可以看出,該方法能夠制作均勻性較好、沒有裂紋的高密度通孔。但由于此方法是單次進(jìn)行單孔制作,所以生產(chǎn)效率較低,且從玻璃通孔的切片結(jié)果來看,通孔的形狀不是很垂直,可能會影響后續(xù)填充的效果。

3 等離子體刻蝕:通孔可靠性提高,工藝成本較

加工步驟:用等離子刻蝕法在石英玻璃上制作玻璃通孔步驟如下:1. 在石英上蒸發(fā)沉積了一層鋁層作為刻蝕硬掩模;2. 通過光刻的方法暴露出玻璃表面需要光刻的位置;3. 用氯氣或者三氯化硼腐蝕暴露的鋁層,用氧氣等離子體去除玻璃表面的光刻膠;4. 利用全氟環(huán)丁烷/氬氣等離子體蝕刻石英以形成TGV

工藝特點(diǎn):等離子體法刻蝕TGV可以同時(shí)進(jìn)行大面積的多個(gè)TGV刻蝕,因此生產(chǎn)效率相較聚焦放電法可以得到改善,且因?yàn)槠鋫?cè)壁粗糙度小(<150nm)、側(cè)壁無損傷,擁有良好的可靠性保證。但是等離子刻蝕TGV的方法也還存在許多缺點(diǎn),包括工藝復(fù)雜,需要額外的多個(gè)步驟;生產(chǎn)成本高,需要用到掩膜版、光刻膠等;以及刻蝕速率慢,速率小于1 μm/min

4) 激光燒蝕法:通孔垂直度較高,但粗糙度、無裂紋無法兼

激光燒蝕TGV制作是利用激光的能量將玻璃燒蝕以形成玻璃通孔,可制備出垂直度高的玻璃通孔。激光燒蝕所使用激光器主要包括飛秒激光、皮秒激光、納秒準(zhǔn)分子激光器和CO2激光器等。其中CO2激光屬于熱激光,其通過局部燒蝕玻璃材料形成TGV,但利用該種激光制備的TGV側(cè)壁裂紋較多(熱應(yīng)力問題);準(zhǔn)分子激光器屬于冷激光,其燒蝕形成的TGV孔壁基本上沒有裂紋出現(xiàn),但是孔壁的粗糙度略大(4~5 μm),且成孔效率較低。

5)電化學(xué)放電加工法:工藝簡單設(shè)備要求低,但可加工孔徑較

加工步驟:電化學(xué)放電加工法是一種將電火花加工(EDM)和電解加工(ECM)相結(jié)合的新型低成本玻璃微加工方法。該方法通過電解液的電化學(xué)放電和化學(xué)腐蝕產(chǎn)生的熱熔作用,將材料從基板中去除。電化學(xué)加工的電解槽由一個(gè)堿性電解質(zhì)溶液(氫氧化鉀、氫氧化鈉等)和兩個(gè)電極組成,工具電極和對電極分別連接到電源的正、負(fù)端子上。當(dāng)兩個(gè)電極之間施加電位差時(shí),在工具電極周圍由于氣泡的聚結(jié)而形成一層薄薄的氫氣膜,將工具電極與周圍的電解液完全隔離。當(dāng)電位差進(jìn)一步增大時(shí),氫氣膜破裂,產(chǎn)生電化學(xué)放電,并將將玻璃融化并移除。

工藝特點(diǎn):該方法不僅工藝簡單,且對設(shè)備要求較低,能快速加工出TGV。但是目前該方法只能加工出孔徑大于300 μm且上開口大于下開口的錐形玻璃通孔,這也大大限制了該方法的應(yīng)用范圍。

6)光敏玻璃法:高密度、高深寬比通孔,但成本較高、材料受

加工步驟:光敏玻璃法是指根據(jù)光敏玻璃材料特性,利用紫外曝光、熱處理、濕法刻蝕等方法實(shí)現(xiàn)玻璃通孔加工的工藝流程。加工前需先將玻璃進(jìn)行預(yù)處理,即將玻璃先后放入異丙醇和丙酮中分別超聲清洗10min取出后用氮?dú)獯蹈桑ゲAП砻骐s質(zhì),隨后先通過紫外光對光敏玻璃進(jìn)行曝光,并在馬弗爐中進(jìn)行熱處理以讓紫外線照射過的區(qū)域材料變性成為陶瓷材料,最后通過氫氟酸溶液進(jìn)行濕法刻蝕來去除陶瓷材料,整個(gè)加工過程中需要精密的溫度控制。

工藝特點(diǎn):基于光敏玻璃的TGV制作方法優(yōu)勢在于采用高刻蝕速率的濕法腐蝕可以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕,從而獲得高密度、高深寬比的玻璃通孔。但是該技術(shù)也存在兩個(gè)問題:1. 價(jià)格昂貴,光敏玻璃本身的材料價(jià)格和工藝制程價(jià)格都相對較高;2. 對于不同尺寸的圖形,尤其是盲孔或者盲槽的刻蝕,由于腐蝕速率不同會造成圖形定義精度差別較大;3. 由于需要高溫處理,會導(dǎo)致玻璃在半固化狀態(tài)下移動,造成結(jié)構(gòu)偏移。

7 激光誘導(dǎo)刻蝕法:目前最有大規(guī)模使用前景的工

加工步驟:通過脈沖激光誘導(dǎo)玻璃產(chǎn)生連續(xù)的變性區(qū),相比未變性區(qū)域的玻璃,變性玻璃在氫氟酸中刻蝕速率較快,基于這一現(xiàn)象可以在玻璃上制作通孔/盲孔。根據(jù)《玻璃通孔三維互連鍍銅填充技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀》(紀(jì)執(zhí)敬等),德國LPKF公司率先用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了玻璃通孔制備,該公司將該方法分為兩步:1. 使用皮秒激光在玻璃上產(chǎn)生變性區(qū)域;2. 將激光處理過的玻璃放到氫氟酸溶液中進(jìn)行刻蝕,該工藝可以制備孔徑最小為10μmTGV通孔,典型深寬比在10:1的范圍內(nèi),某些特殊條件下根據(jù)玻璃類型可達(dá)到50:1。國內(nèi)方面,廈門云天半導(dǎo)體科技有限公司成功開發(fā)了先進(jìn)TGV激光刻蝕技術(shù),實(shí)現(xiàn)了深寬比為10:1的玻璃通孔量產(chǎn),研發(fā)結(jié)果顯示,該技術(shù)可以制備深寬比為20:1的通孔和5:1的盲孔,且具備較好的形貌。

工藝特點(diǎn):激光誘導(dǎo)刻蝕法的反映機(jī)理與上文展示的光敏玻璃法類似,都是通過某種光線的照射使得玻璃內(nèi)部出現(xiàn)變性區(qū)域,然后通過酸溶液濕法刻蝕完成,區(qū)別在于激光誘導(dǎo)刻蝕法對無需使用特殊的光敏玻璃。此外,激光誘導(dǎo)刻蝕法的優(yōu)勢還包括:1.可以在50~500μm 厚的玻璃上形成孔徑大于20 μm的玻璃通孔,成孔質(zhì)量均勻,一致性好,無裂紋;2. 成孔速率快,可達(dá)到290TGV/s3. TGV形貌可調(diào),由于刻蝕的各向異性,可以通過調(diào)節(jié)激光參數(shù)來控制TGV的垂直度和形貌。但也具有激光誘導(dǎo)速度慢、制備過程復(fù)雜、激光誘導(dǎo)孔徑受激光范圍限制、表面易損傷及對材料要求高等缺點(diǎn)。

綜合比較各種玻璃通孔制造技術(shù),激光誘導(dǎo)刻蝕法具有低成本優(yōu)勢,有大規(guī)模應(yīng)用前景

 

2TGV

簡單的說就是:類似硅通孔(TSV)的金屬填充方案也可以應(yīng)用在玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)上。首先,制作玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)盲孔;其次,通過物理氣相沉積(PVD)的方法在玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)盲孔內(nèi)部沉積種子層;再次,自底向上電鍍,實(shí)現(xiàn)TGV 的無縫填充;最后,通過臨時(shí)鍵合,背面研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)露銅,解鍵合,形成玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)金屬填實(shí)轉(zhuǎn)接板。

 

 

 

另外一個(gè)將玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié),使其接近基材,避免了因CTE不匹配造成的失效。

除了玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)電鍍填實(shí)外,玻璃通孔(TGV)工藝技術(shù)也可以采用通孔內(nèi)電鍍薄層方案實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。

 

三、玻璃通孔(TGV)和硅通孔(TSV)工藝技術(shù)的對比

玻璃通孔(TGV)和硅通孔(TSV)工藝技術(shù)相比,玻璃通孔(TGV)的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:


1、優(yōu)良的高頻電學(xué)特性

玻璃材料是一種絕緣體材料,介電常數(shù)只有硅材料的1/3左右,損耗因子比硅材料低2-3個(gè)數(shù)量級,使得襯底損耗和寄生效應(yīng)大大減小,保證了傳輸信號的完整性;在高頻通信系統(tǒng)(如5G、6G)中,信號頻率達(dá)到數(shù)十GHz甚至更高,襯底損耗和寄生效應(yīng)對信號質(zhì)量的影響變得更加明顯。使用玻璃通孔(TGV)技術(shù),可以有效降低這些不利因素,確保系統(tǒng)的高性能和可靠性


2、大尺寸超薄玻璃襯底易于獲取

CorningAsahi以及SCHOTT等玻璃廠商可以提供超大尺寸(>2m × 2m)和超薄(<50µm)的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。而硅材料在變薄后(例如小于100微米)會變得脆弱,易碎裂,處理和加工難度增加;且薄硅片容易產(chǎn)生翹曲,影響后續(xù)工藝的準(zhǔn)確性和可靠性。


3、低成本

受益于大尺寸超薄面板玻璃易于獲取,以及不需要沉積絕緣層,玻璃轉(zhuǎn)接板的制作成本大約只有硅基轉(zhuǎn)接板的1/8


4、工藝流程簡單

不需要在襯底表面及玻璃通孔(TGV)內(nèi)壁沉積絕緣層,且超薄轉(zhuǎn)接板中不需要減薄;


5、機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)

即便當(dāng)轉(zhuǎn)接板厚度小于100µm時(shí),翹曲依然較小;


6、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

它是一種應(yīng)用于晶圓級封裝領(lǐng)域的新興縱向互連技術(shù),為實(shí)現(xiàn)芯片-芯片之間距離最短、間距最小的互聯(lián)提供了一種新型技術(shù)途徑,具有優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)性能,在射頻芯片、高端MEMS傳感器、高密度系統(tǒng)集成等領(lǐng)域具有獨(dú)特優(yōu)勢,是下一代5G6G高頻芯片3D封裝的首選之一。

 

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